LED实现高亮度，还有那些困难？

LED实现高亮度，还有那些困难？
　　
　　制造高亮度LED，使用新材质是一个重要的难题。

LED材料发展

我们可以查看一下，近20年来，LED材料发展史：

　　1991年，日亚公司研制成功同质结GaN基蓝光LED，峰值波长430nm，光谱半宽55rim，其光输出功率为当时市场上SiC LED的10倍，外量子效率约为0．18％。

　　1995年，日亚公司，又研制成功InGaN／AIGaN双异质结的烛光级超高亮度蓝色LED，在20mA的正向电流下，输出功率为1．5mW，外量子效率为2．7％，波长和半宽分别为450nm和70rim。

　　1997年，Schlotter等人和Nakamura等人先后发明了用蓝光管芯加黄光荧光粉封装成白光LED。

　　2001年，Kafmann等人，用UV LED激发三基色荧光粉得到白光LED。过去的几年中，白光LED引起了LED产业界和学术界的广泛重视。

　　2006年，Cree公司，宣布推出一款新的冷白光LED—“XP．G”，发光效率和亮度都创下新的记录，其在驱动电流为350mA时，光通量达1391m，光效为1321m／W，亮度和光效分别比Cree最亮的XR．E LED提高37％和53％，被称之为“业界最亮且具有最高效率的照明级LEDt211”。

　　2007年，日亚公司，发布了其新型LED，该实验型产品在顺向电流为350mA的条件下，光通量可达1451m，发光效率约为1341m／W，芯片的大小为lmm2，色温为4988K(在Ir=20mA的情况下，发光效率更高达169 lm／W)。近两年，日亚公司生产的GaN基LED，无论是蓝光、紫光、紫外还是白光LED均为国际上最高水平，其中460nm的蓝光LED的外量子效率可以达到34．9％。

　　2007年，美国的Cree公司，在SiC衬底上生长双异质结，制作的器件同样很出色，SiC衬底可以把Gabl基LED的金属电极制造在衬底的底部，电流能够通过低阻导电衬底的垂直流动，也为发展其它光电子器件奠定了基础。此公司在SiC上生长GaN基LED无论是小尺寸芯片蓝光LED和紫光LED还是大尺寸蓝光LED和紫光LED均属国际顶级水平。

高端LED电筒

　　看过之后我们会发现，近几年，还是美国Gree公司和日本日亚公司在继续深入研究，并取得了一定成果。但，LED的材料和工艺，并没有技术性的突破。虽然有很多机构在研究，只有少数公司成功了，LED的技术难度可想而知。